全球晶圓代工兩大巨頭近日陷入一場“竊密”風波。員工引發已泄

　　11月27日早間，跳槽臺積特英特爾方面在給第一財經的激烈一份聲明中，對此前臺積電訴訟進行了回應。對峙電“公司有嚴格的密英公司政策與管控措施，嚴禁使用或轉移任何第三方的回擊保密信息或知識產權。我們高度重視并切實履行這些承諾。員工引發已泄”英特爾稱。跳槽臺積特

　　兩天前，激烈臺積電正式向法院提起訴訟，對峙電指控前資深副總經理羅唯仁違反保密協議與競業禁止義務，密英涉嫌將2nm等先進制程機密泄露給英特爾。回擊

　　臺積電在訴訟聲明中披露，員工引發已泄羅唯仁于2025年7月27日從公司退休，跳槽臺積特在臺積電工作期間主導EUV光刻技術導入。激烈據法務部門調查，2024年3月羅唯仁離開管理研發的企業策略發展部后，仍多次要求研發團隊提供先進制程資料，而在今年7月離職面談時，他明確告知將入職學術機構，卻在10月底以執行副總裁身份出現在英特爾員工名單中。

　　“這些營業秘密可能已被轉移至英特爾，其行為同時違反競業禁止協議。”臺積電稱。

　　面對指控，英特爾方面連續兩日作出回應。26日，英特爾CEO陳立武在一場半導體產業協會頒獎典禮上反駁稱相關指控是“毫無根據的謠言”，強調英特爾“有嚴格政策禁止使用第三方知識產權”。隨后，英特爾發言人進一步指出，該公司18A制程采用RibbonFET晶體管與背面供電技術，與臺積電2nm工藝路線存在本質差異，“無需借助外部技術數據”。

　　在業內看來，英特爾的制程技術與臺積電存在多項本質差異。此外，英特爾是高數值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）技術的早期采用者，而臺積電目前尚未布局該技術。

　　不過，作為臺積電在晶圓代工領域的老對手，當前正值英特爾業務發展的戰略關鍵期。

　　在不久前舉行的2025英特爾技術創新與產業生態大會中，英特爾宣布，Intel 18A工藝已在美國亞利桑那州工廠啟動大規模量產，采用RibbonFET（全環繞柵極）晶體管與PowerVia（背面供電）技術，晶體管密度較上一代提升30%，相同能耗下性能提升15%。

　　這一技術被外界視為這家美國芯片巨頭打破臺積電技術壟斷的核心抓手。

　　Counterpoint數據顯示，2025年第二季度全球純晶圓代工行業營收同比增長33%，核心驅動力就是先進工藝在AI GPU領域的應用。若英特爾無法在未來1-2年內將18A制程良率提升至商業化水平，技術先發優勢將被臺積電、三星的成熟產能吞噬，徹底失去高端代工市場的入場資格。這也是英特爾招攬羅唯仁的核心原因，希望借助他的行業經驗加速技術落地，本質是與時間賽跑。

　　根據公開資料，現年75歲的羅唯仁擁有美國加州大學伯克利分校固態物理與表面化學博士學位，曾在英特爾擔任先進技術制造廠CTM廠長，2004年7月加入臺積電，最初擔任營運組織副總經理，2006年至2009年出任研發副總經理，后升任先進技術事業及營運組織制造技術副總經理。2025年7月27日正式退休，較公司限定67歲退休年齡延退8年，也是臺積電歷任副總級退休年紀最高者。